Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Zhang, C.-M. - Characterization of GigaRad Total Ionizing Dose and Annealing Effects on 28-nm Bulk MOSFETs
Zhang, C.-M. - Characterization of GigaRad Total Ionizing Dose and Annealing Effects on 28-nm Bulk MOSFETs
Статья
Автор: Zhang, C.-M.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Characterization of GigaRad Total Ionizing Dose and Annealing Effects on 28-nm Bulk MOSFETs
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Zhang, C.-M.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Characterization of GigaRad Total Ionizing Dose and Annealing Effects on 28-nm Bulk MOSFETs
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Zhang, C.-M.
Characterization of GigaRad Total Ionizing Dose and Annealing Effects on 28-nm Bulk MOSFETs / C.-M.Zhang, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2017. – Vol.64, No.10. – p.2639-2647. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2017.2746719. – Bibliogr.:36.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Zhang, C.-M.
Characterization of GigaRad Total Ionizing Dose and Annealing Effects on 28-nm Bulk MOSFETs / C.-M.Zhang, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2017. – Vol.64, No.10. – p.2639-2647. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2017.2746719. – Bibliogr.:36.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Привязано к:
Доступно
1 из 1