Электронный каталог

Статья

Шубина, К.Ю.
Влияние параметров нитридизации и начальных ростовых условий на полярность эпитаксиальных слоев GaN, выращенных молекулярно-пучковой эпитаксией с плазменной активацией азота на подложках Si(111) / К.Ю.Шубина, [и др.] // Журнал технической физики. Письма. – 2017. – Т.43, №21. – с.47-54. – URL: http://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/45161. – Библиогр.:11.



Спец.(статьи,препринты) = С 33 а - Нанофизика. Нанотехнология$