Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Singh, A. K. - Inhomogeneous Screening of Gate Electric Field by Interface States in Graphene FETs
Singh, A. K. - Inhomogeneous Screening of Gate Electric Field by Interface States in Graphene FETs
Статья
Автор: Singh, A. K.
Journal of Physics: Condensed Matter: Inhomogeneous Screening of Gate Electric Field by Interface States in Graphene FETs
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Singh, A. K.
Journal of Physics: Condensed Matter: Inhomogeneous Screening of Gate Electric Field by Interface States in Graphene FETs
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Singh, A.K.
Inhomogeneous Screening of Gate Electric Field by Interface States in Graphene FETs / A.K.Singh, A.K.Gupta // Journal of Physics: Condensed Matter. – 2017. – Vol.29, No.38. – p.385302. – URL: http://dx.doi.org/10.1088/1361-648X/aa7dbf. – Bibliogr.:42.
Спец.(статьи,препринты) = С 325.7 - Фуллерены (Сn). Атомные кластеры
Спец.(статьи,препринты) = С 33 а - Нанофизика. Нанотехнология$
Singh, A.K.
Inhomogeneous Screening of Gate Electric Field by Interface States in Graphene FETs / A.K.Singh, A.K.Gupta // Journal of Physics: Condensed Matter. – 2017. – Vol.29, No.38. – p.385302. – URL: http://dx.doi.org/10.1088/1361-648X/aa7dbf. – Bibliogr.:42.
Спец.(статьи,препринты) = С 325.7 - Фуллерены (Сn). Атомные кластеры
Спец.(статьи,препринты) = С 33 а - Нанофизика. Нанотехнология$
Привязано к:
Доступно
1 из 1