Электронный каталог

Статья

Huang, H.
Enhanced Radiation Hardness in SOI MOSFET with Embedded Tunnel Diode Layer / H.Huang, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2017. – Vol.64, No.8, Pt.2. – p.2369-2376. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2017.2719121. – Bibliogr.:30.



Спец.(статьи,препринты) = С 345 у - Радиотехнические и электронные устройства. Электротехнические устройства