Электронный каталог

Статья

McLain, M.L.
Effects of Channel Implant Variation on Radiation-Induced Edge Leakage Currents in n-Channel MOSFETs / M.L.McLain, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2017. – Vol.64, No.8, Pt.1. – p.2235-2241. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2017.2705118. – Bibliogr.:25.



Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$