Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Zebrev, G. I. - Compact Modeling of MOSFET I – V Characteristics and Simulation of Dose-Dependent Drain Currents
Zebrev, G. I. - Compact Modeling of MOSFET I – V Characteristics and Simulation of Dose-Dependent Drain Currents
Статья
Автор: Zebrev, G. I.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Compact Modeling of MOSFET I – V Characteristics and Simulation of Dose-Dependent Drain Currents
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Zebrev, G. I.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Compact Modeling of MOSFET I – V Characteristics and Simulation of Dose-Dependent Drain Currents
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Zebrev, G.I.
Compact Modeling of MOSFET I – V Characteristics and Simulation of Dose-Dependent Drain Currents / G.I.Zebrev, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2017. – Vol.64, No.8, Pt.1. – p.2212-2218. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2017.2712284. – Bibliogr.:34.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Zebrev, G.I.
Compact Modeling of MOSFET I – V Characteristics and Simulation of Dose-Dependent Drain Currents / G.I.Zebrev, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2017. – Vol.64, No.8, Pt.1. – p.2212-2218. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2017.2712284. – Bibliogr.:34.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
IEEE Transactions on Nuclear Science Vol.64, No.8, Pt.1
2017 г.
ISBN отсутствует
Библиотека : ЦБ.ЧЗ
IEEE Transactions on Nuclear Science Vol.64, No.8, Pt.1
2017 г.
ISBN отсутствует
Библиотека : ЦБ.ЧЗ