Электронный каталог

Статья

Ni, K.
Understanding Charge Collection Mechanisms in InGaAs FinFETs Using High-Speed Pulsed-Laser Transient Testing with Tunable Wavelength / K.Ni, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2017. – Vol.64, No.8, Pt.1. – p.2069-2078. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2017.2699482. – Bibliogr.:31.



Спец.(статьи,препринты) = С 349 а - Дозиметрия различных видов излучения. Абсолютные измерения потоков