Электронный каталог

Статья

Javanainen, A.
Heavy-Ion-Induced Degradation in SiC Schottky Diodes: Incident Angle and Energy Deposition Dependence / A.Javanainen, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2017. – Vol.64, No.8, Pt.1. – p.2031-2037. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2017.2717045. – Bibliogr.:24.



Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$