Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Agashe, K. - Effect of Gamma Irradiation on Resistive Switching of Al/TiO&sub(2)/n*+Si ReRAM
Agashe, K. - Effect of Gamma Irradiation on Resistive Switching of Al/TiO&sub(2)/n*+Si ReRAM
Статья
Автор: Agashe, K.
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research B: Effect of Gamma Irradiation on Resistive Switching of Al/TiO&sub(2)/n*+Si ReRAM
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Agashe, K.
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research B: Effect of Gamma Irradiation on Resistive Switching of Al/TiO&sub(2)/n*+Si ReRAM
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Agashe, K.
Effect of Gamma Irradiation on Resistive Switching of Al/TiO&sub(2)/n*+Si ReRAM / K.Agashe, [et al.] // Nuclear Instruments & Methods in Physics Research B. – 2017. – Vol.403. – p.38-44. – URL: http://dx.doi.org/10.1016/j.nimb.2017.04.091. – Bibliogr.:37.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Agashe, K.
Effect of Gamma Irradiation on Resistive Switching of Al/TiO&sub(2)/n*+Si ReRAM / K.Agashe, [et al.] // Nuclear Instruments & Methods in Physics Research B. – 2017. – Vol.403. – p.38-44. – URL: http://dx.doi.org/10.1016/j.nimb.2017.04.091. – Bibliogr.:37.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$