Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Mohamed, N. S. - Dose Rate Linearity in 4H-SiC Schottky Diode-Based Detectors at Elevated Temperatures
Mohamed, N. S. - Dose Rate Linearity in 4H-SiC Schottky Diode-Based Detectors at Elevated Temperatures
Статья
Автор: Mohamed, N. S.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Dose Rate Linearity in 4H-SiC Schottky Diode-Based Detectors at Elevated Temperatures
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Mohamed, N. S.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Dose Rate Linearity in 4H-SiC Schottky Diode-Based Detectors at Elevated Temperatures
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Mohamed, N.S.
Dose Rate Linearity in 4H-SiC Schottky Diode-Based Detectors at Elevated Temperatures / N.S.Mohamed, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2017. – Vol.64, No.7, Pt.2. – p.1912-1919. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2017.2705519. – Bibliogr.:37.
Спец.(статьи,препринты) = С 349 а - Дозиметрия различных видов излучения. Абсолютные измерения потоков
Mohamed, N.S.
Dose Rate Linearity in 4H-SiC Schottky Diode-Based Detectors at Elevated Temperatures / N.S.Mohamed, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2017. – Vol.64, No.7, Pt.2. – p.1912-1919. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2017.2705519. – Bibliogr.:37.
Спец.(статьи,препринты) = С 349 а - Дозиметрия различных видов излучения. Абсолютные измерения потоков