Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Glebov, A. A. - Effect of Edge Vacancies on Performance of Planar Graphene Tunnel Field-Effect Transistor
Glebov, A. A. - Effect of Edge Vacancies on Performance of Planar Graphene Tunnel Field-Effect Transistor
Статья
Автор: Glebov, A. A.
EPL: A Letters Journal Exploring the Frontiers of Physics: Effect of Edge Vacancies on Performance of Planar Graphene Tunnel Field-Effect Transistor
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Glebov, A. A.
EPL: A Letters Journal Exploring the Frontiers of Physics: Effect of Edge Vacancies on Performance of Planar Graphene Tunnel Field-Effect Transistor
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Glebov, A.A.
Effect of Edge Vacancies on Performance of Planar Graphene Tunnel Field-Effect Transistor / A.A.Glebov, V.L.Katkov, V.A.Osipov // EPL: A Letters Journal Exploring the Frontiers of Physics. – 2017. – Vol.118, No.1/2. – p.27003. – URL: http://dx.doi.org/10.1209/0295-5075/118/27003. – Bibliogr.:25.
Спец.(статьи,препринты) = С 325.7 - Фуллерены (Сn). Атомные кластеры
ОИЯИ = ОИЯИ (JINR)2017
Glebov, A.A.
Effect of Edge Vacancies on Performance of Planar Graphene Tunnel Field-Effect Transistor / A.A.Glebov, V.L.Katkov, V.A.Osipov // EPL: A Letters Journal Exploring the Frontiers of Physics. – 2017. – Vol.118, No.1/2. – p.27003. – URL: http://dx.doi.org/10.1209/0295-5075/118/27003. – Bibliogr.:25.
Спец.(статьи,препринты) = С 325.7 - Фуллерены (Сn). Атомные кластеры
ОИЯИ = ОИЯИ (JINR)2017