Электронный каталог

Статья

Zhang, L.
Single Event Upset Sensitivity of D-Flip Flop: Comparison of PDSOI with Bulk Si at 130 nm Technology Node / L.Zhang, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2017. – Vol.64, No.1, Pt.2. – p.683-688. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2016.2636338. – Bibliogr.:19.



Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$