Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Zhang, E. X. - Total Ionizing Dose Effects on Strained Ge pMOS FinFETs on Bulk Si
Zhang, E. X. - Total Ionizing Dose Effects on Strained Ge pMOS FinFETs on Bulk Si
Статья
Автор: Zhang, E. X.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Total Ionizing Dose Effects on Strained Ge pMOS FinFETs on Bulk Si
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Zhang, E. X.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Total Ionizing Dose Effects on Strained Ge pMOS FinFETs on Bulk Si
б.г.
ISBN отсутствует
На полку Service Unavailable
HTTP Error 503. The service is unavailable.
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
IEEE Transactions on Nuclear Science Vol.64, No.1, Pt.1
2017 г.
ISBN отсутствует
Библиотека : ЦБ.ЧЗ
IEEE Transactions on Nuclear Science Vol.64, No.1, Pt.1
2017 г.
ISBN отсутствует
Библиотека : ЦБ.ЧЗ