Электронный каталог

Статья

Zhang, E.X.
Total Ionizing Dose Effects on Strained Ge pMOS FinFETs on Bulk Si / E.X.Zhang, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2017. – Vol.64, No.1, Pt.1. – p.226-232. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2016.2635023. – Bibliogr.:27.



Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$