Электронный каталог

Статья

Кукушкин, С.А.
Рентгеновская рефлектометрия и моделирование параметров эпитаксиальных пленок SiC на Si(111), выращенных методом замещения атомов / С.А.Кукушкин, [и др.] // Физика твердого тела. – 2017. – Т.59, №5. – с.986-998. – URL: http://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/44391. – Библиогр.:28.



Спец.(статьи,препринты) = С 344.4б - Методы приготовления тонких пленок$