Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Hales, J. M. - A Simplified Approach for Predicting Pulsed-Laser-Induced Carrier Generation in Semiconductor
Hales, J. M. - A Simplified Approach for Predicting Pulsed-Laser-Induced Carrier Generation in Semiconductor
Статья
Автор: Hales, J. M.
IEEE Transactions on Nuclear Science: A Simplified Approach for Predicting Pulsed-Laser-Induced Carrier Generation in Semiconductor
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Hales, J. M.
IEEE Transactions on Nuclear Science: A Simplified Approach for Predicting Pulsed-Laser-Induced Carrier Generation in Semiconductor
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Hales, J.M.
A Simplified Approach for Predicting Pulsed-Laser-Induced Carrier Generation in Semiconductor / J.M.Hales, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2017. – Vol.64, No.3. – p.1006-1013. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2017.2665546. – Bibliogr.:27.
Спец.(статьи,препринты) = С 344.1э - Использование лазеров в ядерной физике
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Hales, J.M.
A Simplified Approach for Predicting Pulsed-Laser-Induced Carrier Generation in Semiconductor / J.M.Hales, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2017. – Vol.64, No.3. – p.1006-1013. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2017.2665546. – Bibliogr.:27.
Спец.(статьи,препринты) = С 344.1э - Использование лазеров в ядерной физике
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Привязано к:
Доступно
1 из 1