Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Shen, J. - Assessment of TID Effect of FRAM Memory Cell Under Electron, X-Ray, and Co- 60 *g Ray Radiation S...
Shen, J. - Assessment of TID Effect of FRAM Memory Cell Under Electron, X-Ray, and Co- 60 *g Ray Radiation S...
Статья
Автор: Shen, J.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Assessment of TID Effect of FRAM Memory Cell Under Electron, X-Ray, and Co- 60 *g Ray Radiation S...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Shen, J.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Assessment of TID Effect of FRAM Memory Cell Under Electron, X-Ray, and Co- 60 *g Ray Radiation S...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Shen, J.
Assessment of TID Effect of FRAM Memory Cell Under Electron, X-Ray, and Co- 60 *g Ray Radiation Sources / J.Shen, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2017. – Vol.64, No.3. – p.969-975. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2017.2655302. – Bibliogr.:21.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Спец.(статьи,препринты) = Ц 841 в - Запоминающие устройства
Shen, J.
Assessment of TID Effect of FRAM Memory Cell Under Electron, X-Ray, and Co- 60 *g Ray Radiation Sources / J.Shen, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2017. – Vol.64, No.3. – p.969-975. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2017.2655302. – Bibliogr.:21.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Спец.(статьи,препринты) = Ц 841 в - Запоминающие устройства
Привязано к:
Доступно
1 из 1