Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Nazhmudinov, R. M. - Study of 50 GeV Proton Ionization Loss by Semiconductor Detector with Smoothly Tunable Thickness
Nazhmudinov, R. M. - Study of 50 GeV Proton Ionization Loss by Semiconductor Detector with Smoothly Tunable Thickness
Статья
Автор: Nazhmudinov, R. M.
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research B: Study of 50 GeV Proton Ionization Loss by Semiconductor Detector with Smoothly Tunable Thickness
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Nazhmudinov, R. M.
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research B: Study of 50 GeV Proton Ionization Loss by Semiconductor Detector with Smoothly Tunable Thickness
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Nazhmudinov, R.M.
Study of 50 GeV Proton Ionization Loss by Semiconductor Detector with Smoothly Tunable Thickness / R.M.Nazhmudinov, [et al.] // Nuclear Instruments & Methods in Physics Research B. – 2016. – Vol.391. – p.69-72. – URL: http://dx.doi.org/10.1016/j.nimb.2016.11.004. – Bibliogr.:11.
Спец.(статьи,препринты) = С 342 а - Потери энергии и пробеги заряженных частиц. Эффект Вавилова- Черенкова. Дельта-электрон. Ионизация внутренних оболочек при торможении
Спец.(статьи,препринты) = С 344.1м - Полупроводниковые детекторы
Nazhmudinov, R.M.
Study of 50 GeV Proton Ionization Loss by Semiconductor Detector with Smoothly Tunable Thickness / R.M.Nazhmudinov, [et al.] // Nuclear Instruments & Methods in Physics Research B. – 2016. – Vol.391. – p.69-72. – URL: http://dx.doi.org/10.1016/j.nimb.2016.11.004. – Bibliogr.:11.
Спец.(статьи,препринты) = С 342 а - Потери энергии и пробеги заряженных частиц. Эффект Вавилова- Черенкова. Дельта-электрон. Ионизация внутренних оболочек при торможении
Спец.(статьи,препринты) = С 344.1м - Полупроводниковые детекторы