Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Тимофеев, В.А. - Рост эпитаксиальных пленок SiSn с высоким содержанием Sn для преобразователей в ИК-области
Тимофеев, В.А. - Рост эпитаксиальных пленок SiSn с высоким содержанием Sn для преобразователей в ИК-области
Статья
Автор: Тимофеев, В.А.
Известия высших учебных заведений. Физика: Рост эпитаксиальных пленок SiSn с высоким содержанием Sn для преобразователей в ИК-области
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Тимофеев, В.А.
Известия высших учебных заведений. Физика: Рост эпитаксиальных пленок SiSn с высоким содержанием Sn для преобразователей в ИК-области
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Тимофеев, В.А.
Рост эпитаксиальных пленок SiSn с высоким содержанием Sn для преобразователей в ИК-области / В.А.Тимофеев, [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика. – 2017. – Т.60, №2. – с.135-140. – Библиогр.:24.
Спец.(статьи,препринты) = С 344.4б - Методы приготовления тонких пленок$
Тимофеев, В.А.
Рост эпитаксиальных пленок SiSn с высоким содержанием Sn для преобразователей в ИК-области / В.А.Тимофеев, [и др.] // Известия высших учебных заведений. Физика. – 2017. – Т.60, №2. – с.135-140. – Библиогр.:24.
Спец.(статьи,препринты) = С 344.4б - Методы приготовления тонких пленок$
Привязано к:
Доступно
1 из 1