Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Wang, H.-B. - An Area Efficient Stacked Latch Design Tolerant to SEU in 28 nm FDSOI Technology
Wang, H.-B. - An Area Efficient Stacked Latch Design Tolerant to SEU in 28 nm FDSOI Technology
Статья
Автор: Wang, H.-B.
IEEE Transactions on Nuclear Science: An Area Efficient Stacked Latch Design Tolerant to SEU in 28 nm FDSOI Technology
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Wang, H.-B.
IEEE Transactions on Nuclear Science: An Area Efficient Stacked Latch Design Tolerant to SEU in 28 nm FDSOI Technology
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Wang, H.-B.
An Area Efficient Stacked Latch Design Tolerant to SEU in 28 nm FDSOI Technology / H.-B.Wang, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2016. – Vol.63, No.6. – p.3003-3009. – URL: http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2016.2627003. – Bibliogr.:20.
Спец.(статьи,препринты) = С 344.3 - Ядерная электроника$
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Wang, H.-B.
An Area Efficient Stacked Latch Design Tolerant to SEU in 28 nm FDSOI Technology / H.-B.Wang, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2016. – Vol.63, No.6. – p.3003-3009. – URL: http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2016.2627003. – Bibliogr.:20.
Спец.(статьи,препринты) = С 344.3 - Ядерная электроника$
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Привязано к:
Доступно
1 из 1