Электронный каталог

Статья

Yang, J.
The Stability of Tin Silicon Oxide Thin-Film Transistors with Different Annealing Temperatures / J.Yang, [et al.] // EPL: A Letters Journal Exploring the Frontiers of Physics. – 2016. – Vol.115, No.1/2. – p.28006. – URL: https://doi.org/10.1209/0295-5075/115/28006. – Bibliogr.:36.



Спец.(статьи,препринты) = С 344.4б - Методы приготовления тонких пленок$