Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Якимов, Е.Б. - Скольжение дислокаций в пленках GaN, выращенных методом латеральной эпитаксии, стимулированное об...
Якимов, Е.Б. - Скольжение дислокаций в пленках GaN, выращенных методом латеральной эпитаксии, стимулированное об...
Статья
Автор: Якимов, Е.Б.
Поверхность: Скольжение дислокаций в пленках GaN, выращенных методом латеральной эпитаксии, стимулированное об...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Якимов, Е.Б.
Поверхность: Скольжение дислокаций в пленках GaN, выращенных методом латеральной эпитаксии, стимулированное об...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Якимов, Е.Б.
Скольжение дислокаций в пленках GaN, выращенных методом латеральной эпитаксии, стимулированное облучением электронами с низкой энергией / Е.Б.Якимов, П.С.Вергелес // Поверхность. – 2016. – №9. – с.81-84. – URL: http://dx.doi.org/10.1134/S1027451016050177. – Библиогр.:14.
Спец.(статьи,препринты) = С 344.4б - Методы приготовления тонких пленок$
Якимов, Е.Б.
Скольжение дислокаций в пленках GaN, выращенных методом латеральной эпитаксии, стимулированное облучением электронами с низкой энергией / Е.Б.Якимов, П.С.Вергелес // Поверхность. – 2016. – №9. – с.81-84. – URL: http://dx.doi.org/10.1134/S1027451016050177. – Библиогр.:14.
Спец.(статьи,препринты) = С 344.4б - Методы приготовления тонких пленок$
