Электронный каталог

Статья

Chen, Z.
Single-Event Transient Characterization of a Radiation-Tolerant Charge-Pump Phase-Locked Loop Fabricated in 130 nm PD-SOI Technology / Z.Chen, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2016. – Vol.63, No.4, Pt.2. – p.2402-2408. – URL: http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2016.2590420. – Bibliogr.:23.



Спец.(статьи,препринты) = С 344.3 - Ядерная электроника$
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$