Электронный каталог

Статья

Nolet, F.
A 2D Proof of Principle Towards a 3D Digital SiPM in HV CMOS with Low Output Capacitance / F.Nolet, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2016. – Vol.63, No.4, Pt.2. – p.2293-2299. – URL: http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2016.2582686. – Bibliogr.:39.



Спец.(статьи,препринты) = С 344.1с - Детекторы гамма-квантов