Электронный каталог

Статья

Faye, D.Nd.
Study of Damage Formation and Annealing of Implanted III-Nitride Semiconductors for Optoelectronic Devices / D.Nd.Faye, [et al.] // Nuclear Instruments & Methods in Physics Research B. – 2016. – Vol.379. – p.251-254. – URL: http://dx.doi.org/10.1016/j.nimb.2016.03.028. – Bibliogr.:22.



Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Спец.(статьи,препринты) = С 344.1м - Полупроводниковые детекторы