Электронный каталог

Статья

Смирнов, В.А.
Полевой эффект при протонной и электронно-дырочной проводимости в транзисторе на основе оксида графена / В.А.Смирнов, [и др.] // Журнал технической физики. Письма. – 2016. – Т.42, №13. – с.18-25. – URL: http://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/43395. – Библиогр.:14.



Спец.(статьи,препринты) = С 325.7 - Фуллерены (Сn). Атомные кластеры