Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Vdovin, E. E. - Phonon-Assisted Resonant Tunneling of Electrons in Graphene–Boron Nitride Transistors
Vdovin, E. E. - Phonon-Assisted Resonant Tunneling of Electrons in Graphene–Boron Nitride Transistors
Статья
Автор: Vdovin, E. E.
Physical Review Letters: Phonon-Assisted Resonant Tunneling of Electrons in Graphene–Boron Nitride Transistors
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Vdovin, E. E.
Physical Review Letters: Phonon-Assisted Resonant Tunneling of Electrons in Graphene–Boron Nitride Transistors
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Vdovin, E.E.
Phonon-Assisted Resonant Tunneling of Electrons in Graphene–Boron Nitride Transistors / E.E.Vdovin, [et al.] // Physical Review Letters. – 2016. – Vol.116, No.18. – p.186603. – URL: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.116.186603. – Bibliogr.:33.
Спец.(статьи,препринты) = С 325.7 - Фуллерены (Сn). Атомные кластеры
Vdovin, E.E.
Phonon-Assisted Resonant Tunneling of Electrons in Graphene–Boron Nitride Transistors / E.E.Vdovin, [et al.] // Physical Review Letters. – 2016. – Vol.116, No.18. – p.186603. – URL: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.116.186603. – Bibliogr.:33.
Спец.(статьи,препринты) = С 325.7 - Фуллерены (Сn). Атомные кластеры
Привязано к:
Доступно
1 из 1