Электронный каталог

Статья

Mannan, M.
Deep Levels in n-Type 4H-Silicon Carbide Epitaxial Layers Investigated by Deep-Level Transient Spectroscopy and Isochronal Annealing Studies / M.Mannan, [a.o.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2016. – Vol.63, No.2, Pt.3. – p.1083-90. – URL: http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2016.2535212. – Bibliogr.:55.



Спец.(статьи,препринты) = С 344.1м - Полупроводниковые детекторы