Электронный каталог

Статья

Галиев, Г.Б.
Применение высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии и просвечивающей электронной микроскопии для изучения строения многослойных транзисторных наногетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs / Г.Б.Галиев, [и др.] // Поверхность. – 2016. – №5. – с.32-47. – URL: http://dx.doi.org/10.1134/S1027451016030095. – Библиогр.:26.



Спец.(статьи,препринты) = С 332.8 - Синхротронное излучение. Лазеры на свободных электронах. Получение и использование рентгеновских лучей
Спец.(статьи,препринты) = С 37 - Оптика$