Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Филатов, Д.О. - Телеграфный шум в туннельных Si p-n-переходах с наноостровками GeSi
Филатов, Д.О. - Телеграфный шум в туннельных Si p-n-переходах с наноостровками GeSi
Статья
Автор: Филатов, Д.О.
Журнал технической физики. Письма: Телеграфный шум в туннельных Si p-n-переходах с наноостровками GeSi
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Филатов, Д.О.
Журнал технической физики. Письма: Телеграфный шум в туннельных Si p-n-переходах с наноостровками GeSi
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Филатов, Д.О.
Телеграфный шум в туннельных Si p-n-переходах с наноостровками GeSi / Д.О.Филатов, [и др.] // Журнал технической физики. Письма. – 2016. – Т.42, №8. – с.94-101. – URL: http://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/43129. – Библиогр.:12.
Спец.(статьи,препринты) = С 33 а - Нанофизика. Нанотехнология$
Филатов, Д.О.
Телеграфный шум в туннельных Si p-n-переходах с наноостровками GeSi / Д.О.Филатов, [и др.] // Журнал технической физики. Письма. – 2016. – Т.42, №8. – с.94-101. – URL: http://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/43129. – Библиогр.:12.
Спец.(статьи,препринты) = С 33 а - Нанофизика. Нанотехнология$