Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Bertuccio, G. - X-Ray Silicon Drift Detector–CMOS Front-End System with High Energy Resolution at Room Temperature
Bertuccio, G. - X-Ray Silicon Drift Detector–CMOS Front-End System with High Energy Resolution at Room Temperature
Статья
Автор: Bertuccio, G.
IEEE Transactions on Nuclear Science: X-Ray Silicon Drift Detector–CMOS Front-End System with High Energy Resolution at Room Temperature
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Bertuccio, G.
IEEE Transactions on Nuclear Science: X-Ray Silicon Drift Detector–CMOS Front-End System with High Energy Resolution at Room Temperature
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Bertuccio, G.
X-Ray Silicon Drift Detector–CMOS Front-End System with High Energy Resolution at Room Temperature / G.Bertuccio, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2016. – Vol.63, No.1, Pt.2. – p.400-406. – URL: http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2015.2513602. – Bibliogr.:26.
Спец.(статьи,препринты) = С 344.3а - Схемы усилителей сигналов, поступающих от детекторов. Усилители импульсов наносекундного диапазона
Спец.(статьи,препринты) = С 344.1м - Полупроводниковые детекторы
Bertuccio, G.
X-Ray Silicon Drift Detector–CMOS Front-End System with High Energy Resolution at Room Temperature / G.Bertuccio, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2016. – Vol.63, No.1, Pt.2. – p.400-406. – URL: http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2015.2513602. – Bibliogr.:26.
Спец.(статьи,препринты) = С 344.3а - Схемы усилителей сигналов, поступающих от детекторов. Усилители импульсов наносекундного диапазона
Спец.(статьи,препринты) = С 344.1м - Полупроводниковые детекторы