Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Авджян, К.Э. - Гетероструктура a-С/n-Si в качестве детектора ионизирующих излучений
Авджян, К.Э. - Гетероструктура a-С/n-Si в качестве детектора ионизирующих излучений
Статья
Автор: Авджян, К.Э.
Приборы и техника эксперимента: Гетероструктура a-С/n-Si в качестве детектора ионизирующих излучений
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Авджян, К.Э.
Приборы и техника эксперимента: Гетероструктура a-С/n-Si в качестве детектора ионизирующих излучений
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Авджян, К.Э.
Гетероструктура a-С/n-Si в качестве детектора ионизирующих излучений / К.Э.Авджян, [и др.] // Приборы и техника эксперимента. – 2016. – №1 . – с.68-70. – URL: http://dx.doi.org/10.1134/S002044121601019X. – Библиогр.:4.
Спец.(статьи,препринты) = С 344.1м - Полупроводниковые детекторы
Авджян, К.Э.
Гетероструктура a-С/n-Si в качестве детектора ионизирующих излучений / К.Э.Авджян, [и др.] // Приборы и техника эксперимента. – 2016. – №1 . – с.68-70. – URL: http://dx.doi.org/10.1134/S002044121601019X. – Библиогр.:4.
Спец.(статьи,препринты) = С 344.1м - Полупроводниковые детекторы
Привязано к:
Доступно
2 из 2