Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Keum, D. M. - Proton Bombardment Effects on Normally-off AlGaN/GaN-on-Si Recessed MISHeterostructure FETs
Keum, D. M. - Proton Bombardment Effects on Normally-off AlGaN/GaN-on-Si Recessed MISHeterostructure FETs
Статья
Автор: Keum, D. M.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Proton Bombardment Effects on Normally-off AlGaN/GaN-on-Si Recessed MISHeterostructure FETs
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Keum, D. M.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Proton Bombardment Effects on Normally-off AlGaN/GaN-on-Si Recessed MISHeterostructure FETs
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Keum, D.M.
Proton Bombardment Effects on Normally-off AlGaN/GaN-on-Si Recessed MISHeterostructure FETs / D.M.Keum, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2015. – Vol.62, No.6, Pt.2. – p.3362-3368. – URL: http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2015.2495209. – Bibliogr.:44.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Keum, D.M.
Proton Bombardment Effects on Normally-off AlGaN/GaN-on-Si Recessed MISHeterostructure FETs / D.M.Keum, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2015. – Vol.62, No.6, Pt.2. – p.3362-3368. – URL: http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2015.2495209. – Bibliogr.:44.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$