Электронный каталог

Статья

Shyam, R.
Encapsulating Ion-Solid Interactions in Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) Devices / R.Shyam, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2015. – Vol.62, No.6, Pt.2. – p.3346-3352. – URL: http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2015.2489468. – Bibliogr.:25.



Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$