Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Tianqi, W. - Single-Event Upset Prediction in SRAMs Account for On-Transistor Sensitive Volume
Tianqi, W. - Single-Event Upset Prediction in SRAMs Account for On-Transistor Sensitive Volume
![](/OpacUnicode/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
Статья
Автор: Tianqi, W.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Single-Event Upset Prediction in SRAMs Account for On-Transistor Sensitive Volume
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Tianqi, W.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Single-Event Upset Prediction in SRAMs Account for On-Transistor Sensitive Volume
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Tianqi, W.
Single-Event Upset Prediction in SRAMs Account for On-Transistor Sensitive Volume / W.Tianqi, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2015. – Vol.62, No.6, Pt.2. – p.3207-3215. – URL: http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2015.2480880. – Bibliogr.:27.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Tianqi, W.
Single-Event Upset Prediction in SRAMs Account for On-Transistor Sensitive Volume / W.Tianqi, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2015. – Vol.62, No.6, Pt.2. – p.3207-3215. – URL: http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2015.2480880. – Bibliogr.:27.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$