Электронный каталог

Статья

Tianqi, W.
Single-Event Upset Prediction in SRAMs Account for On-Transistor Sensitive Volume / W.Tianqi, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2015. – Vol.62, No.6, Pt.2. – p.3207-3215. – URL: http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2015.2480880. – Bibliogr.:27.



Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$