Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Slotman, G. J. - Effect of Structural Relaxation on the Electronic Structure of Graphene on Hexagonal Boron Nitride
Slotman, G. J. - Effect of Structural Relaxation on the Electronic Structure of Graphene on Hexagonal Boron Nitride
Статья
Автор: Slotman, G. J.
Physical Review Letters: Effect of Structural Relaxation on the Electronic Structure of Graphene on Hexagonal Boron Nitride
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Slotman, G. J.
Physical Review Letters: Effect of Structural Relaxation on the Electronic Structure of Graphene on Hexagonal Boron Nitride
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Slotman, G.J.
Effect of Structural Relaxation on the Electronic Structure of Graphene on Hexagonal Boron Nitride / G.J.Slotman, [et al.] // Physical Review Letters. – 2015. – Vol.115, No.18. – p.186801. – URL: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.115.186801. – Bibliogr.:36.
Спец.(статьи,препринты) = С 325.7 - Фуллерены (Сn). Атомные кластеры
Slotman, G.J.
Effect of Structural Relaxation on the Electronic Structure of Graphene on Hexagonal Boron Nitride / G.J.Slotman, [et al.] // Physical Review Letters. – 2015. – Vol.115, No.18. – p.186801. – URL: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.115.186801. – Bibliogr.:36.
Спец.(статьи,препринты) = С 325.7 - Фуллерены (Сn). Атомные кластеры
Привязано к:
Доступно
1 из 1