Электронный каталог -Ding, L. - Investigation of Total Ionizing Dose Effect and Displacement Damage in 65 nm CMOS Transistors Exp...- Absopac

Статья
Автор: Ding, L.
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research A: Investigation of Total Ionizing Dose Effect and Displacement Damage in 65 nm CMOS Transistors Exp...
б.г.
ISBN отсутствует

полный текст

На полку

Статья

Ding, L.
Investigation of Total Ionizing Dose Effect and Displacement Damage in 65 nm CMOS Transistors Exposed to 3 MeV Protons / L.Ding, [et al.] // Nuclear Instruments & Methods in Physics Research A. – 2015. – Vol.796. – p.104-107. – URL: http://dx.doi.org/10.1016/j.nima.2015.03.021. – Bibliogr.:13.

Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Спец.(статьи,препринты) = С 344.1м - Полупроводниковые детекторы

Электронный каталог

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Ding, L. - Investigation of Total Ionizing Dose Effect and Displacement Damage in 65 nm CMOS Transistors Exp...

Ding, L. - Investigation of Total Ionizing Dose Effect and Displacement Damage in 65 nm CMOS Transistors Exp...

Электронный каталог

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Ding, L. - Investigation of Total Ionizing Dose Effect and Displacement Damage in 65 nm CMOS Transistors Exp...

Ding, L. - Investigation of Total Ionizing Dose Effect and Displacement Damage in 65 nm CMOS Transistors Exp...

Привязано к: