Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Кукушкин, С.А. - Рост и структура слоев GaN, выращенных на SiC, синтезированном на подложке Si методом замещения а...
Кукушкин, С.А. - Рост и структура слоев GaN, выращенных на SiC, синтезированном на подложке Si методом замещения а...
Статья
Автор: Кукушкин, С.А.
Физика твердого тела: Рост и структура слоев GaN, выращенных на SiC, синтезированном на подложке Si методом замещения а...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Кукушкин, С.А.
Физика твердого тела: Рост и структура слоев GaN, выращенных на SiC, синтезированном на подложке Si методом замещения а...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Кукушкин, С.А.
Рост и структура слоев GaN, выращенных на SiC, синтезированном на подложке Si методом замещения атомов: модель образования V-дефектов при росте GaN / С.А.Кукушкин, [и др.] // Физика твердого тела. – 2015. – Т.57, №9. – с.1850-1858. – URL: http://journals.ioffe.ru/ftt/2015/09/p1850-1858.pdf. – Библиогр.:17.
Спец.(статьи,препринты) = С 344.4б - Методы приготовления тонких пленок$
Кукушкин, С.А.
Рост и структура слоев GaN, выращенных на SiC, синтезированном на подложке Si методом замещения атомов: модель образования V-дефектов при росте GaN / С.А.Кукушкин, [и др.] // Физика твердого тела. – 2015. – Т.57, №9. – с.1850-1858. – URL: http://journals.ioffe.ru/ftt/2015/09/p1850-1858.pdf. – Библиогр.:17.
Спец.(статьи,препринты) = С 344.4б - Методы приготовления тонких пленок$
Привязано к:
Доступно
1 из 1