Электронный каталог

Статья

Golshani, N.
Manufacturing Uniform Field Silicon Drift Detector Using Double Boron Layer / N.Golshani, [et al.] // Nuclear Instruments & Methods in Physics Research A. – 2015. – Vol.794. – p.206-214. – URL: http://dx.doi.org/10.1016/j.nima.2015.05.011. – Bibliogr.:23.



Спец.(статьи,препринты) = С 344.1м - Полупроводниковые детекторы