Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Golshani, N. - Manufacturing Uniform Field Silicon Drift Detector Using Double Boron Layer
Golshani, N. - Manufacturing Uniform Field Silicon Drift Detector Using Double Boron Layer
![](/OpacUnicode/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
Статья
Автор: Golshani, N.
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research A: Manufacturing Uniform Field Silicon Drift Detector Using Double Boron Layer
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Golshani, N.
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research A: Manufacturing Uniform Field Silicon Drift Detector Using Double Boron Layer
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Golshani, N.
Manufacturing Uniform Field Silicon Drift Detector Using Double Boron Layer / N.Golshani, [et al.] // Nuclear Instruments & Methods in Physics Research A. – 2015. – Vol.794. – p.206-214. – URL: http://dx.doi.org/10.1016/j.nima.2015.05.011. – Bibliogr.:23.
Спец.(статьи,препринты) = С 344.1м - Полупроводниковые детекторы
Golshani, N.
Manufacturing Uniform Field Silicon Drift Detector Using Double Boron Layer / N.Golshani, [et al.] // Nuclear Instruments & Methods in Physics Research A. – 2015. – Vol.794. – p.206-214. – URL: http://dx.doi.org/10.1016/j.nima.2015.05.011. – Bibliogr.:23.
Спец.(статьи,препринты) = С 344.1м - Полупроводниковые детекторы