Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Zhang, R. - Graphene Synthesis on SiC: Reduced Graphitization Temperature by C-Cluster and Ar-Ion Implantation
Zhang, R. - Graphene Synthesis on SiC: Reduced Graphitization Temperature by C-Cluster and Ar-Ion Implantation
Статья
Автор: Zhang, R.
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research B: Graphene Synthesis on SiC: Reduced Graphitization Temperature by C-Cluster and Ar-Ion Implantation
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Zhang, R.
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research B: Graphene Synthesis on SiC: Reduced Graphitization Temperature by C-Cluster and Ar-Ion Implantation
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Zhang, R.
Graphene Synthesis on SiC: Reduced Graphitization Temperature by C-Cluster and Ar-Ion Implantation / R.Zhang, [et al.] // Nuclear Instruments & Methods in Physics Research B. – 2015. – Vol.356/357. – p.99-102. – URL: http://dx.doi.org/10.1016/j.nimb.2015.04.067. – Bibliogr.:13.
Спец.(статьи,препринты) = С 325.8 - Квантовые объекты низкой размерности (за исключением эффектов Холла)$
Zhang, R.
Graphene Synthesis on SiC: Reduced Graphitization Temperature by C-Cluster and Ar-Ion Implantation / R.Zhang, [et al.] // Nuclear Instruments & Methods in Physics Research B. – 2015. – Vol.356/357. – p.99-102. – URL: http://dx.doi.org/10.1016/j.nimb.2015.04.067. – Bibliogr.:13.
Спец.(статьи,препринты) = С 325.8 - Квантовые объекты низкой размерности (за исключением эффектов Холла)$