Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Sushko, G. B. - Multi-GeV Electron and Positron Channeling in Bent Silicon Crystals
Sushko, G. B. - Multi-GeV Electron and Positron Channeling in Bent Silicon Crystals
Статья
Автор: Sushko, G. B.
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research B: Multi-GeV Electron and Positron Channeling in Bent Silicon Crystals
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Sushko, G. B.
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research B: Multi-GeV Electron and Positron Channeling in Bent Silicon Crystals
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Sushko, G.B.
Multi-GeV Electron and Positron Channeling in Bent Silicon Crystals / G.B.Sushko, [a.o.] // Nuclear Instruments & Methods in Physics Research B. – 2015. – Vol.355. – p.39-43. – URL: http://dx.doi.org/10.1016/j.nimb.2015.03.029. – Bibliogr.:25.
Спец.(статьи,препринты) = С 342 б2 - Прохождение заряженных частиц через кристаллы: каналирование, стринг-эффект, эффект "теней". Сверхтонкое взаимодействие для ядерных систем
Sushko, G.B.
Multi-GeV Electron and Positron Channeling in Bent Silicon Crystals / G.B.Sushko, [a.o.] // Nuclear Instruments & Methods in Physics Research B. – 2015. – Vol.355. – p.39-43. – URL: http://dx.doi.org/10.1016/j.nimb.2015.03.029. – Bibliogr.:25.
Спец.(статьи,препринты) = С 342 б2 - Прохождение заряженных частиц через кристаллы: каналирование, стринг-эффект, эффект "теней". Сверхтонкое взаимодействие для ядерных систем