Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Backe, H. - Channeling Experiments with Sub-GeV Electrons in Flat Silicon Single Crystals
Backe, H. - Channeling Experiments with Sub-GeV Electrons in Flat Silicon Single Crystals
Статья
Автор: Backe, H.
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research B: Channeling Experiments with Sub-GeV Electrons in Flat Silicon Single Crystals
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Backe, H.
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research B: Channeling Experiments with Sub-GeV Electrons in Flat Silicon Single Crystals
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Backe, H.
Channeling Experiments with Sub-GeV Electrons in Flat Silicon Single Crystals / H.Backe, W.Lauth // Nuclear Instruments & Methods in Physics Research B. – 2015. – Vol.355. – p.24-29. – URL: http://dx.doi.org/10.1016/j.nimb.2015.03.077. – Bibliogr.:28.
Спец.(статьи,препринты) = С 342 б2 - Прохождение заряженных частиц через кристаллы: каналирование, стринг-эффект, эффект "теней". Сверхтонкое взаимодействие для ядерных систем
Backe, H.
Channeling Experiments with Sub-GeV Electrons in Flat Silicon Single Crystals / H.Backe, W.Lauth // Nuclear Instruments & Methods in Physics Research B. – 2015. – Vol.355. – p.24-29. – URL: http://dx.doi.org/10.1016/j.nimb.2015.03.077. – Bibliogr.:28.
Спец.(статьи,препринты) = С 342 б2 - Прохождение заряженных частиц через кристаллы: каналирование, стринг-эффект, эффект "теней". Сверхтонкое взаимодействие для ядерных систем