Электронный каталог

Статья

Li, B.S.
Recrystallization of He-Ion Implanted 6H-SiC Upon Annealing / B.S.Li, [et al.] // Nuclear Instruments & Methods in Physics Research B. – 2015. – Vol.345. – p.53-57. – URL: http://dx.doi.org/10.1016/j.nimb.2014.12.049. – Bibliogr.:37.



Спец.(статьи,препринты) = С 344.1м - Полупроводниковые детекторы
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$