Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Zhang, C. X. - Electrical Stress and Total Ionizing Dose Effects on MoS&sub(2) Transistors
Zhang, C. X. - Electrical Stress and Total Ionizing Dose Effects on MoS&sub(2) Transistors
Статья
Автор: Zhang, C. X.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Electrical Stress and Total Ionizing Dose Effects on MoS&sub(2) Transistors
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Zhang, C. X.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Electrical Stress and Total Ionizing Dose Effects on MoS&sub(2) Transistors
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Zhang, C.X.
Electrical Stress and Total Ionizing Dose Effects on MoS&sub(2) Transistors / C.X.Zhang, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2014. – Vol.61, No.6, Pt.1. – p.2862-2867. – URL: http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2014.2365522. – Bibliogr.:28.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Zhang, C.X.
Electrical Stress and Total Ionizing Dose Effects on MoS&sub(2) Transistors / C.X.Zhang, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2014. – Vol.61, No.6, Pt.1. – p.2862-2867. – URL: http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2014.2365522. – Bibliogr.:28.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$