Электронный каталог

Статья

Glorieux, M.
Random-Walk Drift-Diffusion Charge-Collection Model For Reverse-Biased Junctions Embedded in Circuits / M.Glorieux, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2014. – Vol.61, No.6, Pt.1. – p.3527-3534. – URL: http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2014.2362073. – Bibliogr.:19.



Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$