Электронный каталог

Статья

Cardoso, A.S.
Single-Event Transient and Total Dose Response of Precision Voltage Reference Circuits Designed in a 90-nm SiGe BiCMOS Technology / A.S.Cardoso, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2014. – Vol.61, No.6, Pt.1. – p.3210-3217. – URL: http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2014.2358078. – Bibliogr.:23.



Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$