Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Lourenco, N. E. - On the Transient Response of a Complementary (npn + pnp) SiGe HBT BiCMOS Technology
Lourenco, N. E. - On the Transient Response of a Complementary (npn + pnp) SiGe HBT BiCMOS Technology
Статья
Автор: Lourenco, N. E.
IEEE Transactions on Nuclear Science: On the Transient Response of a Complementary (npn + pnp) SiGe HBT BiCMOS Technology
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Lourenco, N. E.
IEEE Transactions on Nuclear Science: On the Transient Response of a Complementary (npn + pnp) SiGe HBT BiCMOS Technology
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Lourenco, N.E.
On the Transient Response of a Complementary (npn + pnp) SiGe HBT BiCMOS Technology / N.E.Lourenco, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2014. – Vol.61, No.6, Pt.1. – p.3146-3153. – URL: http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2014.2361269. – Bibliogr.:32.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Lourenco, N.E.
On the Transient Response of a Complementary (npn + pnp) SiGe HBT BiCMOS Technology / N.E.Lourenco, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2014. – Vol.61, No.6, Pt.1. – p.3146-3153. – URL: http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2014.2361269. – Bibliogr.:32.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$