Электронный каталог

Статья

McLain, M.L.
The Susceptibility of TaO&sub(x)-Based Memristors to High Dose Rate Ionizing Radiation and Total Ionizing Dose / M.L.McLain, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2014. – Vol.61, No.6, Pt.1. – p.2997-3004. – URL: http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2014.2364521. – Bibliogr.:36.



Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$