Электронный каталог

Статья

Ding, L.
Total Ionizing Dose Effects in Si-Based Tunnel FETs / L.Ding, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2014. – Vol.61, No.6, Pt.1. – p.2874-2880. – URL: http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2014.2367548. – Bibliogr.:29.



Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$