Электронный каталог

Статья

Duan, G.X.
Bias Dependence of Total Ionizing Dose Effects in SiGe-SiO&sub(2)/HfO&sub(2) pMOS FinFETs / G.X.Duan, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2014. – Vol.61, No.6, Pt.1. – p.2834-2838. – URL: http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2014.2362918. – Bibliogr.:29.



Спец.(статьи,препринты) = С 344.1м - Полупроводниковые детекторы
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$