Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Johnston, A. H. - Field Dependence of Charge Yield in Silicon Dioxide
Johnston, A. H. - Field Dependence of Charge Yield in Silicon Dioxide

Статья
Автор: Johnston, A. H.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Field Dependence of Charge Yield in Silicon Dioxide
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Johnston, A. H.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Field Dependence of Charge Yield in Silicon Dioxide
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Johnston, A.H.
Field Dependence of Charge Yield in Silicon Dioxide / A.H.Johnston, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2014. – Vol.61, No.6, Pt.1. – p.2818-2825. – URL: http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2014.2367512. – Bibliogr.:28.
Спец.(статьи,препринты) = С 344.1м - Полупроводниковые детекторы
Johnston, A.H.
Field Dependence of Charge Yield in Silicon Dioxide / A.H.Johnston, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2014. – Vol.61, No.6, Pt.1. – p.2818-2825. – URL: http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2014.2367512. – Bibliogr.:28.
Спец.(статьи,препринты) = С 344.1м - Полупроводниковые детекторы